一、分析图1所示的双极型集成电路版图。(共计30分)
1. 图中有哪些掩膜版图形（按工艺流程顺序写）？（5分）
2. 按图中所示的a-a切面画出剖面结构示意图图。（7分）
3. 图中的n+埋层有那些作用？（4分）
4. 图中的n+发射区扩散有那些作用？（4分）
5. 提取电路并分析该电路的功能，说明各器件的作用。（10分）
二、分析图2所示的cmos集成电路版图。(共计30分)
1. 图中有哪些掩膜版图形（按工艺流程顺序写）？（5分）
2. 按图中所示的a-a切面画出剖面结构示意图。（7分）
3. 提取电路并分析该电路的功能（8分）
4. 根据所提电路画出相同功能的e/e饱和负载nmos电路并推导出其输出高、低电平表达式（设阈值电压为vt，忽略衬地偏置效应，负载管宽长比为β1,输入管等效宽长比为β2）（10分）
三、分析图3所示d/a转换器电路。设晶体管vbe=0.7v,β值足够大。（共15分）
1. 指明电路中采用的开关类型和电阻网络类型以及该转换器的分辨率是多少（3分）
2. 该转换器模拟输出最小变化量△是多少？允许线性度误差ε的最大变化范围是多少？（6分）
3. 当b4 b3 b2 b1为1101时，模拟输出是多少？（6分）
四、回答下列问题（共25分）
1. 画出mos晶体管形式的抗静电保护电路并阐述其工作原理。（10分）
2. 单管逻辑门直流运用特点和级联问题有哪些？（9分）
3. 阐述ecl电路和i2l电路的特点。（6分）
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