电力电子技术基础试卷

发布 2023-12-22 10:45:17 阅读 4574

浙江大学城市学院2008–2009学年第二学期期中考试。

电力电子技术基础 》课程试卷考试形式:闭卷。

一、 判断题 (每题2分,共10分)

1、晶闸管的导通条件是:uak>0,igk>0,当晶闸管触发导通后,撤消igk信号,晶闸管将恢复阻断。

2、igbt和功率mosfet是场控器件,静态输入阻抗极高,因此这两种器件的。

驱动电路不需要考虑输出功率。

3、晶闸管与功率晶体管均属于电流控制型器件,控制电流波形影响到器件的工作性能。 (

4、 buck电路的输入平均电流等于流过开关管的平均电流。

5、通过变压器变比和占空比的适当组合,正激电路和反激电路均可以实现输出电压升降压控制。

二、 选择题 (每题2分,共10分)

1、功率晶体管gtr从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 (

a、一次击穿 b、二次击穿 c、临界饱和 d、反向截止。

2、当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( )

a、导通状态 b、关断状态 c、饱和状态d、不定。

3、非隔离式电路中,具有升降压调节功能的电路是( )

a、buck电路 b、boost电路 c、cuk电路 d、正激电路。

4、一个额定电流为10a的二极管,允许通过的直流电流极限值为( )

a、10a b、15.7a c、6.4a d、不确定。

5、一个额定电流为10a的gtr,允许通过的直流电流极限值为( )

a、10a b、15.7a c、6.4a d、不确定。

三、 分析计算题 (每题20分,共80分)

1、 对于以下两个不同的电流波形(阴影部分,周期均为2),分别列出其电流平均值i**、电流有效值irms、波形系数kf的计算式。

2、 对于gtr单开关电路,其电阻负载为100ω,电源电压为1000v,器件关断时间为0.5μs,电路以pwm方式工作,开关频率2khz,最小导通占空比为,要求设计rcd参数(电阻值与功率、电容值与耐压、二极管的电流与电压额定)。(提示:

电阻负载带有一定感性,在器件关断过程中负载电流可以看作不变;器件的限制、峰值电流限制不作考虑;设计参数有一定范围,只要符合要求就行)

3、boost电路输入电压100v,电感l=500μh,输出接100电阻,电路工作频率50khz,mosfet导通的占空比d=0.5,求:

1)输出电压和电流,2)画出mos管ds 两端的电压波形uvt(要求标出幅值),3)电感电流的波动值。ugst

uvtt

4、逆变电路及控制波形如图,设r=0,ud=100v, l=2mh,f =200hz ,

1) 画出输出电压、电流波形,2) mosfet的峰值电流,3) 求电路的输出平均功率。

ugs ugsuabio

电力电子技术基础》期终试卷

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